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ZXT10P12DE6TC分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
ZXT10P12DE6TC |
参数属性 | ZXT10P12DE6TC 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 3A SOT23-6 |
功能描述 | 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
封装外壳 | SOT-23-6 |
文件大小 |
245.2 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 16:59:00 |
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ZXT10P12DE6TC规格书详情
特性 Features
• BVCEO > -12V
• IC = - 3A Continuous Collector Current
• ICM = -10A Peak Pulse Current
• RCE(sat) = 65mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
• Low Saturation Voltage (-100mV max @ 1A)
• hFE Characterized up to -10A for High Current Gain Hold-Up
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Applications
• DC-DC Converters
• Power Management Functions
• Power Switches
• Motor Control
产品属性
- 产品编号:
ZXT10P12DE6TC
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 50mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 100mA,2V
- 频率 - 跃迁:
110MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-23-6
- 供应商器件封装:
SOT-23-6
- 描述:
TRANS PNP 12V 3A SOT23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/ZETEX |
23+ |
原厂封装 |
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询价 | ||
ZETEX |
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ZETEX |
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SOT23-6 |
20000 |
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ZETEX |
24+ |
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ZETEX |
24+ |
20000 |
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