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ZXT10P12DE6TC分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ZXT10P12DE6TC
厂商型号

ZXT10P12DE6TC

参数属性

ZXT10P12DE6TC 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 3A SOT23-6

功能描述

12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

封装外壳

SOT-23-6

文件大小

245.2 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:59:00

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ZXT10P12DE6TC规格书详情

特性 Features

• BVCEO > -12V

• IC = - 3A Continuous Collector Current

• ICM = -10A Peak Pulse Current

• RCE(sat) = 65mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• Low Saturation Voltage (-100mV max @ 1A)

• hFE Characterized up to -10A for High Current Gain Hold-Up

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• DC-DC Converters

• Power Management Functions

• Power Switches

• Motor Control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXT10P12DE6TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 50mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 100mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-6

  • 描述:

    TRANS PNP 12V 3A SOT23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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