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ZXT10P12DE6分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ZXT10P12DE6 |
| 参数属性 | ZXT10P12DE6 封装/外壳为SOT-23-6；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 12V 3A SOT23-6 |
| 功能描述 | 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
| 封装外壳 | SOT-23-6 |
| 文件大小 |
245.2 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 15:43:00 |
| 人工找货 | ZXT10P12DE6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ZXT10P12DE6规格书详情
特性 Features
• BVCEO > -12V
• IC = - 3A Continuous Collector Current
• ICM = -10A Peak Pulse Current
• RCE(sat) = 65mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
• Low Saturation Voltage (-100mV max @ 1A)
• hFE Characterized up to -10A for High Current Gain Hold-Up
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Applications
• DC-DC Converters
• Power Management Functions
• Power Switches
• Motor Control
产品属性
- 产品编号：
ZXT10P12DE6TC
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 50mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，2V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-6
- 供应商器件封装：
SOT-23-6
- 描述：
TRANS PNP 12V 3A SOT23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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