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ZXT10N20DE6TA中文资料PDF规格书

ZXT10N20DE6TA
厂商型号

ZXT10N20DE6TA

参数属性

ZXT10N20DE6TA 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6

功能描述

20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

230.48 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Zetex Semiconductors
企业简称

Zetex捷特科半导体

中文名称

捷特科半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 20:06:00

ZXT10N20DE6TA规格书详情

SUMMARY

VCEO=20V; RSAT = 55m ; IC= 3.5A

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

• Low Equivalent On Resistance

• Extremely Low Saturation Voltage

• hFE characterised up to 12A

• IC=3.5A Continuous Collector Current

• SOT23-6 package

APPLICATIONS

• DC - DC Converters

• Power Management Functions

• Power switches

• Motor control

产品属性

  • 产品编号:

    ZXT10N20DE6TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 100mA,3.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-6

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes Incorporated
24+
SOT-23-6
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
DIODES/美台
2023
5200
公司原装现货/支持实单
询价
DIODES
23+
SOT-23-6
7750
全新原装优势
询价
ZETEX
02+
SOT23-6
27000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
DIODES(美台)
23+
SOT26
6000
诚信服务,绝对原装原盘
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DIODES美台
24+23+
SOT-163
12580
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品
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ZTX
05+
原厂原装
50051
只做全新原装真实现货供应
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ZETEX
2020+
原厂封装
350000
100%进口原装正品公司现货库存
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DIODES
22+
NA
12080
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DIODES/美台
23+
SOT-26
25000
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