600V，20A，Trench-FS IGBT

芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。 • 低饱和导通压降；\n• 低开关损耗；\n• 高短路电流耐量；\n• 高的参数一致性；\n• 高的输入阻抗；\n• 正向温度系数，适合并联使用。;

Xiner

芯能半导体

20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

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UTC

友顺

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体