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XNS50660AB(S)	文件：300 bytes Page：1 Pages	IPM IPM将功率器件连同其驱动电路和多种保护电路封装在同一模块内，进行过完美的匹配，使系统设计者从繁琐的驱动和保护电路设计中解脱出来，同时提高了系统的可靠性。 • 封装形式多样，兼容性好；\n• 内置电机专用的FRDMOS或TFSIGBT；\n• 短路耐量>10us@400V/15V/150℃；\n• 可靠性高，保护功能完善。;	Xiner 芯能半导体	Xiner
FSB50660SF	文件：866.23 Kbytes Page：11 Pages	Motion SPMR 5 SuperFETR Series 文件：866.23 Kbytes 页数：11 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSB50660SF	文件：4.4082 Mbytes Page：28 Pages	Motion SPM 5 Series Version 2 User?셲 Guide 文件：4.4082 Mbytes 页数：28 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSB50660SF	文件：761.89 Kbytes Page：13 Pages	Motion SPM 5 SuperFET Series 文件：761.89 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电流(A)：
6
绝缘耐压(KV)：
1.5
优化开关（KHz）：
20
器件：
IGBT
推荐功率(W)：
200
热接口：
塑料
自举二极管：
是
欠压保护：
是
过流保护：
否
温度输出：
VOT
互锁：
是
RDS(on)(Typ)(Ω)：
2.1
VF(Typ)(V)：
1.7
ton(Typ)(ns)：
725
Rth(j-c)(Max)(℃/W)：
5.5

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更多XNS50660AB(S)供应商更新时间2025-10-9 19:17:00

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