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XNSSR1013G

同步整流电路

XNSSR1013G是一款高性能开关电源次级侧同步整流电路,集成了控制芯片、储能电容和低RDSON的功率MOSFET。采用自供电技术, 通过电流检测自动开/关MOSFET。在开关电源系统中可直接替换肖特基二极管使用,是一种应用简单且性能优异的次级整流器的解决方案。   XNSSR1013G可应用于满足CoCTier2六级能效的5V~12V输出的开关电源系统,最高工作频率可达150kHz,支持QR/DCM模式。利用功率MOSFET极低的导通损耗来减小肖特基二极管的导通功率损耗,提高开关电源转换效率的同时降低整流器的温升,以满足高效率开关电源应用。芯片内置高压自供电单元电路,配合高度集成的芯片方案 •直接替代肖特基二极管,无外部器件\n•静态工作电流低至350μA\n•支持QRM/DCM模式\n•集成MOSFET RDSON低至13mΩ\n•比肖特基整流效率提高3%~5%\n•封装形式TO220AB;

SWID

西南集成

XP1013

17.0-26.0 GHz GaAs MMIC Power Amplifier

General Description Mimix Broadband’s three stage 17.0-26.0 GHz GaAs MMIC power amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a +24.0 dBm saturated output power. This MMIC uses Mimix Broadband’s 0.15 µm GaAs PHEMT device model technology, and is based upon electron beam lithography to ensure

文件:1.5436 Mbytes 页数:7 Pages

MIMIX

XP1013-BD

17.0-26.0 GHz GaAs MMIC Power Amplifier

General Description Mimix Broadband’s three stage 17.0-26.0 GHz GaAs MMIC power amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a +24.0 dBm saturated output power. This MMIC uses Mimix Broadband’s 0.15 µm GaAs PHEMT device model technology, and is based upon electron beam lithography to ensure

文件:466.12 Kbytes 页数:7 Pages

MIMIX

XP1013-BD

17.0-26.0 GHz GaAs MMIC

文件:461.15 Kbytes 页数:7 Pages

MA-COM

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更多XNSSR1013G供应商 更新时间2025-10-5 19:09:00