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XNS40N120TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT单管; • 低饱和导通压降；\n• 低开关损耗；\n• 高短路电流耐量；\n• 高的参数一致性；\n• 高的输入阻抗；\n• 正向温度系数，适合并联使用。\n; 芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。	XinerShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd 芯能半导体深圳芯能半导体技术有限公司	Xiner
40N120	文件：162.44 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
40N120IHL	文件：162.44 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DTGN40N120	文件：1.50198 Mbytes Page：8 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highsystem	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
XP1006-FA	文件：0 bytes Page：0 Pages	MIMIX/MA- 模块	MIMIX/MA- 相关企业：深圳市卓越微芯电子有限公司	MIMIX/MA-

技术参数

Build-in：
Yes
Vce(max)：
1200
Ic(max)：
40
Icpuls(max)：
120
Short-Circuit(uS)：
10
Tvj：
-40~+ 175
VGE(th)(typ)：
6.5
VCE(sat)(typ)：
1.4
Vf：
2.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多XNS40N120TH供应商更新时间2025-7-30 17:31:00

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