IGBT单管

芯能的IGBT采用国际领先的沟槽结构+场截止型技术（Trench + FS），合理优化了器件电流密度 ，获得了最佳的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff）平衡。完美适用于电磁加热、电机驱动、工业电源等各类应用。芯能IGBT击穿电压保证足够冗余，电参数一致性高并且有牢固的可靠性。同时具有高的短路电流能力。 • 低饱和导通压降；\n• 高短路电流耐量；\n• 高的输入阻抗；\n• 正向温度系数，适合并联使用。\n;

Xiner

芯能半导体

Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability. 40N60, 40N60A

文件：91.96 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

IGBT

文件：247.74 Kbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

40A, 600V FIELD STOP IGBT

DESCRIPTION SGT40N60NPFDPN using Field Stop IGBT technology, offer the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application. FEATURES 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A Low conduction loss Fast switching High input impedance

文件：437.8 Kbytes 页数：6 Pages

SILAN

士兰微