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XNS25S12FT	文件：300 bytes Page：1 Pages	IPM IPM将功率器件连同其驱动电路和多种保护电路封装在同一模块内，进行过完美的匹配，使系统设计者从繁琐的驱动和保护电路设计中解脱出来，同时提高了系统的可靠性。 • 封装形式多样，兼容性好；\n• 内置电机专用的FRDMOS或TFSIGBT；\n• 短路耐量>10us@400V/15V/150℃；\n• 可靠性高，保护功能完善。;	Xiner 芯能半导体	Xiner
DRA-25S12	文件：85.06 Kbytes Page：1 Pages	90째 Solder Dip (Male / Female) 文件：85.06 Kbytes 页数：1 Pages	YAMAICHI	YAMAICHI
DRB-25S12	文件：85.06 Kbytes Page：1 Pages	90째 Solder Dip (Male / Female) 文件：85.06 Kbytes 页数：1 Pages	YAMAICHI	YAMAICHI
DRS-25S12	文件：48.07 Kbytes Page：1 Pages	90째 Solder Dip - Short Distance (Male / Female 5.08mm) 文件：48.07 Kbytes 页数：1 Pages	YAMAICHI	YAMAICHI

技术参数

电流(A)：
25
绝缘耐压(KV)：
2.5
优化开关（KHz）：
20
器件：
IGBT
推荐功率(W)：
4000
热接口：
DBC
自举二极管：
是
欠压保护：
是
过流保护：
是
温度输出：
是
互锁：
是
RDS(on)(Typ)(Ω)：
2
VF(Typ)(V)：
2
ton(Typ)(ns)：
900
Rth(j-c)(Max)(℃/W)：
1.08

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多XNS25S12FT供应商更新时间2025-11-22 17:47:00

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