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XNS50S12E6

IPM

IPM将功率器件连同其驱动电路和多种保护电路封装在同一模块内,进行过完美的匹配,使系统设计者从繁琐的驱动和保护电路设计中解脱出来,同时提高了系统的可靠性。 • 封装形式多样,兼容性好;\n• 产品规格多,应用范围广;\n• 内置电机专用的FRDMOS或TFSIGBT;\n• 内置SOI工艺的HVIC,稳固性高;\n• 短路耐量>10us@400V/15V/150℃;\n• 低温升和低电磁干扰设计;\n• 可靠性高,保护功能完善。;

Xiner

芯能半导体

技术参数

  • 电流(A):

    50

  • 绝缘耐压(KV):

    2.5

  • 优化开关(KHz):

    20

  • 器件:

    IGBT

  • 推荐功率(W):

    5000

  • 热接口:

    DBC

  • 自举二极管:

  • 欠压保护:

  • 过流保护:

  • 温度输出:

    VOT

  • 互锁:

  • RDS(on)(Typ)(Ω):

    1.8

  • VF(Typ)(V):

    1.8

  • Rth(j-c)(Max)(℃/W):

    0.8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
XINER/芯能
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DIP29
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更多XNS50S12E6供应商 更新时间2025-10-4 11:02:00