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UPA2719AGR	文件：357.92 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2719AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotection circuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−5.0A) RDS(on)2=20.9mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
A2719	文件：604.04 Kbytes Page：26 Pages	ChargerControllerwithFuel-Guage&LCD/LEDDisplay	PERICOMPericom Semiconductor Corporation 百利通百利通半导体	PERICOM
AN2719	文件：242.78 Kbytes Page：22 Pages	Precisionimprovementtechniques	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
C2719	文件：477.24 Kbytes Page：6 Pages	Photosensoramplifier Current-to-voltageconversionamplifierforamplifyingweakphotocurrentwithlownoise C2719isacurrent-to-voltageconversionamplifierusedtoamplifyweakphotocurrentfromaphotodiodewithverylownoise.Threerangesofphotocurrentdetectionsensitivitylevel(H,M,L)areselectable	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
CXD2719Q	文件：457.63 Kbytes Page：58 Pages	Single-ChipDolbyProLogicSurroundDecoder Description TheCXD2719QisaCMOSLSIdevelopedforDolbyProLogicSurround.ASRAMforshortdelayandAD/DAconvertersarebuiltin,andallfunctionsnecessaryforDolbyProLogicSurroundsuchasanadaptivematrix,apassivedecoderincludingBNR,autoinputbalance,anoisesequenceran	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
NJM2719	文件：329.4 Kbytes Page：10 Pages	LowNoise,High-SpeedDualOperationalAmplifier	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
PM-DB2719	文件：214.66 Kbytes Page：11 Pages	DATABUSINTERFACETRANSFORMERSLOWPROFILESINGLE/DUAL	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
PXIS-2719A	文件：565.96 Kbytes Page：2 Pages	19-Slot3UPXIChassiswithAC	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PXIS-2719A	文件：172.9 Kbytes Page：2 Pages	19-Slot3UPXIChassiswithAC	AdlinkAdlink Technology Inc. 凌华科技凌华科技股份有限公司	Adlink
TCD2719DG	文件：447.78 Kbytes Page：14 Pages	TOSHIBACCDLinearImageSensorCCD TheTCD2719DGisahighsensitiveandlowdarkcurrent7300 elements3linesoutputCCDcolorlinearimagesensor. Thedevicecontainsarowof7300elements3linesphotodiodes whichprovide24lines/mmacrossaA3sizepaper.Thedeviceis operatedby5.0Vpulseand10Vpowersupply.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
UPA2719AGR
功能描述：
MOSFET LV 8SOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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