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UPA2719AGR规格书详情
DESCRIPTION
The μ PA2719AGR is P-Channel MOS Field Effect
Transistor designed for power management applications of
notebook computers and Lithium-Ion battery protection
circuit.
FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 13 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −5.0 A)
RDS(on)2 = 20.9 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −5.0 A)
• Low input capacitance
Ciss = 2010 pF TYP.
• Built-in gate protection diode
• Small and surface mount package (Power SOP8)
产品属性
- 型号：
UPA2719AGR
- 功能描述：
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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