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UPA1710A	文件：244.63 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=70mW(MAX.)(VGS=–10V,ID=–2.5A) RDS(on)2=160mW(MAX.)(VGS=–4V,ID=–2.0A) ·LowCiss:Ciss=840pF(TYP.) ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1710AG	文件：244.63 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=70mW(MAX.)(VGS=–10V,ID=–2.5A) RDS(on)2=160mW(MAX.)(VGS=–4V,ID=–2.0A) ·LowCiss:Ciss=840pF(TYP.) ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VDA1710CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA1710NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VR1710	文件：305.85 Kbytes Page：2 Pages	VoltageQualityRecorder	FLUKEFluke Corporation 福禄克	FLUKE
YRS-1710	文件：1.01138 Mbytes Page：9 Pages	Crimpingmachinesandtools	JSTJST Mfg. Co., Ltd. JST集团日本圧着端子製造株式会社	JST
ZCDP-1710-S	文件：1.11513 Mbytes Page：7 Pages	Diplexer	MINI Mini-Circuits	MINI
ZCDP-1710-S+	文件：1.11513 Mbytes Page：7 Pages	Diplexer	MINI Mini-Circuits	MINI

详细参数

型号：
UPA1710A
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO

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更多UPA1710A供应商更新时间2025-7-17 10:51:00

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