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AO4806	文件：1.20837 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=20V ●ID=9.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4806	文件：117.85 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4806usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom1.8Vto12V.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitat	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4806	文件：1.6148 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4806-HF	文件：1.49501 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=20V ●ID=9.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4806L	文件：117.85 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4806usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom1.8Vto12V.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitat	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
C4806	文件：219.43 Kbytes Page：3 Pages	ACinput1or3-phase,47-400Hz	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
DW4806	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DW4806B	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FTK4806T	文件：800.54 Kbytes Page：5 Pages	40VDualN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HM4806A	文件：543.3 Kbytes Page：7 Pages	PWMapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

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更多TSM4806CSRLG供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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