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TSM4953DCS

Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.33612 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TSM4953DCSRL

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches

文件:2.12225 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSM4953DCSRF

30V Dual P-Channel MOSFET

文件:248.76 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM4953DCSRF

30V Dual P-Channel MOSFET

文件:359.38 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM4953DCSRL

30V Dual P-Channel MOSFET

文件:233.64 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM4953DCSRLG

30V Dual P-Channel MOSFET

文件:233.64 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM4953DCS

-30V, -4.9A, Dual P-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    P-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    -30

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    -4.9

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    60

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    50

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    90

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    75

  • Qg (nC) @ 10V:

    28

  • Qgd (nC):

    7

  • Qgs (nC):

    3

  • Ciss (pF):

    745

  • Coss (pF):

    440

  • Crss (pF):

    120

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    -3

  • VGS(th) Min. (V):

    -1

  • VGS(th) Typ. (V):

    -1.5

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