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TSM4N80	文件：216.78 Kbytes Page：7 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：216.78 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4N80CIC0	文件：2.35623 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：2.35623 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4N80_1310	文件：446.24 Kbytes Page：10 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：446.24 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4N80CIC0	文件：446.24 Kbytes Page：10 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：446.24 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4N80CZC0	文件：446.24 Kbytes Page：10 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：446.24 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4N80CI	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4N80CZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
800
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
4
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
3000
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
2500
Qg (nC) @ 10V：
20
Qgd (nC)：
8.2
Qgs (nC)：
3.7
Ciss (pF)：
955
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
13
VGS(th) Max. (V)：
4
VGS(th) Min. (V)：
2

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