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TSM4946DCS	文件：319.04 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power FEATURES ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance ●RoHSCompliant ●Halogen-free APPLICATIONS ●High-SideDC/DCConversion ●Notebook ●Sever	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4946DCSRLG	文件：2.1542 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4946DCSRL	文件：247.86 Kbytes Page：6 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4946DCSRLG	文件：247.86 Kbytes Page：6 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
4946	文件：1.09215 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4946	文件：735.51 Kbytes Page：9 Pages	VHBTape-SpecialtyTapes	3M 3M Electronics	3M
4946	文件：3.53276 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The4946usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●Highpowerandcurrenthandingcapability ●Lead	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
4946BW	文件：1.95065 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4946W	文件：1.08485 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4946	文件：108.65 Kbytes Page：5 Pages	PlasticEncapsulatedDevice ProductDescription: TheAO4946usesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowandhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications.StandardproductAO4946isPb-	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
TSM4946DCS
功能描述：
MOSFET Dual 30V N Channel Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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