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TSM4946DCS	文件：319.04 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power FEATURES ● Advance Trench Process Technology ● High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance ● RoHS Compliant ● Halogen-free APPLICATIONS ● High-Side DC/DC Conversion ● Notebook ● Sever 文件：319.04 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4946DCSRLG	文件：2.1542 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：2.1542 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4946DCSRL	文件：247.86 Kbytes Page：6 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：247.86 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4946DCSRLG	文件：247.86 Kbytes Page：6 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：247.86 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4946DCS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, 4.5A, Dual N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

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更多TSM4946DCS供应商更新时间2025-10-7 17:06:00