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TSM4N60	文件：477.85 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CHC5	文件：2.14259 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S)Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60CPRO	文件：1.24039 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60CZCO	文件：1.2186 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60_10	文件：369.36 Kbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CHC5	文件：477.85 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CHC5	文件：369.36 Kbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CHC5G	文件：369.36 Kbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4N60CI	文件：1.09028 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4N60CIC0	文件：477.85 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
TSM4N60
制造商：
TSC
制造商全称：
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
功能描述：
600V N-Channel Power MOSFET

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