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N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.0903 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
600V N-Channel Power MOSFET 文件：369.36 Kbytes 页数：11 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
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技术参数
- Type：
N-Channel
- Technology：
Planar
- Configuration：
Single
- Status：
NRND
- Replacement：
TSM4NB60CH
- AEC-Q：
No
- VDS (V)：
600
- VGS ±(V)：
30
- ID Max. (A)：
4
- TJ Max. (°C)：
150
- RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
2500
- RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
2000
- Qg (nC) @ 10V：
12
- Qgd (nC)：
6
- Qgs (nC)：
3
- Ciss (pF)：
545
- Coss (pF)：
61
- Crss (pF)：
10
- VGS(th) Max. (V)：
5
- VGS(th) Typ. (V)：
3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSC |
2016+ |
TO-251 |
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TSC |
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TSC/台湾半导体 |
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TSC/台半 |
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更新时间2025-12-1 22:58:00
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