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TSM4N60CZCO	文件：1.2186 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.2186 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4N60E	文件：1.20259 Mbytes Page：7 Pages	600V, 4A, 2.5廓 N-Channel Power MOSFET 文件：1.20259 Mbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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更多TSM4N60CPROG供应商更新时间2025-10-6 14:04:00