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TSM4N60CI

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.09028 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSM4N60CIC0

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.0903 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSM4N60CIC0

600V N-Channel Power MOSFET

文件:477.85 Kbytes 页数:9 Pages

TSC

台湾半导体

TSM4N60CIC0

600V N-Channel Power MOSFET

文件:369.36 Kbytes 页数:11 Pages

TSC

台湾半导体

TSM4N60CIC0G

600V N-Channel Power MOSFET

文件:369.36 Kbytes 页数:11 Pages

TSC

台湾半导体

详细参数

  • 型号:

    TSM4N60CI

  • 功能描述:

    MOSFET 800V 4A N Channel Power Mosfet

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
JD/晶导
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SMC(DO-214AB)
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TSC
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TO-251
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更多TSM4N60CI供应商 更新时间2025-10-13 11:51:00