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TSM4NB60	文件：382.98 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：382.98 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60	文件：1.61149 Mbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：1.61149 Mbytes 页数：11 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60CPROG	文件：1.16875 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.16875 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4NB60CZC0	文件：1.29025 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.29025 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4NB60_13	文件：575.1 Kbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：575.1 Kbytes 页数：11 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60_14	文件：1.61149 Mbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：1.61149 Mbytes 页数：11 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60CHC5G	文件：382.98 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：382.98 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60CHC5G	文件：1.61149 Mbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：1.61149 Mbytes 页数：11 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60CHC5G	文件：575.1 Kbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：575.1 Kbytes 页数：11 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
600
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
4
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
2500
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
2000
Qg (nC) @ 10V：
16
Qgd (nC)：
7
Qgs (nC)：
2.6
Ciss (pF)：
574
Coss (pF)：
56
Crss (pF)：
7
MSL：
NA
VGS(th) Max. (V)：
4.5
VGS(th) Min. (V)：
2.5
VGS(th) Typ. (V)：
2.8

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