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TSM4NB60CZC0	文件：1.29025 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.29025 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM4NB60CZC0	文件：382.98 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：382.98 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60CZC0	文件：575.1 Kbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：575.1 Kbytes 页数：11 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB60CZC0	文件：1.61149 Mbytes Page：11 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：1.61149 Mbytes 页数：11 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

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更多TSM4NB60CZC0供应商更新时间2025-10-13 14:04:00