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TK3R3A06PL	文件：497.64 Kbytes Page：9 Pages	High-Efficiency DC-DC Converters Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 21 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 66 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.5 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 60 V) (6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V 文件：497.64 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3R9E10PL	文件：720.93 Kbytes Page：9 Pages	High-Efficiency DC-DC Converters Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 99 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V) (6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V 文件：720.93 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3R9E10PL	文件：629.46 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K3R9E10PL；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 99 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ.) (VGS = 文件：629.46 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3R9E10PL_V01	文件：629.46 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS 1. Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 99 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ.) (VGS = 文件：629.46 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK30	文件：53.29 Kbytes Page：1 Pages	Electrical/HVAC MultiMeter Test Kits 文件：53.29 Kbytes 页数：1 Pages	EXTECH	EXTECH
TK30A	文件：110.32 Kbytes Page：3 Pages	Topstek Current Transducer 文件：110.32 Kbytes 页数：3 Pages	TOPSTEK	TOPSTEK
TK30A06J3	文件：2.13845 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.13845 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TK30A06J3A	文件：2.14023 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.14023 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TK30A06N1	文件：342.96 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：342.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK30E06N1	文件：338.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
2.5
PD(W)：
30
Ciss(pF)：
380
Qg(nC)：
9.0
=10V：
2.8
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
π-MOSⅦ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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中天科工半导体（深圳）有限公司	TK3A60DA	TOSHIBA/东芝	25+	TO-220F	45000	TOSHIBA/东芝全新现货TK3A60DA即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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