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TK30	文件：53.29 Kbytes Page：1 Pages	Electrical/HVAC MultiMeter Test Kits 文件：53.29 Kbytes 页数：1 Pages	EXTECH	EXTECH
TK30A06J3A	文件：658.1 Kbytes Page：6 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications ● Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 34 S (typ.) ● Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) ● Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：658.1 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK30A06J3A	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK30A06N1	文件：242.36 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON)= 12.2 mΩ(typ.) (VGS= 10 V) (2) Low leakage current: IDSS= 10 µA (max) (VDS= 60 V) (3) Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 0.2 mA) Applications • Switching Voltage Regulators 文件：242.36 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK30A	文件：110.32 Kbytes Page：3 Pages	Topstek Current Transducer 文件：110.32 Kbytes 页数：3 Pages	TOPSTEK	TOPSTEK
TK30A06J3	文件：2.13845 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.13845 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TK30A06J3A	文件：2.14023 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.14023 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TK30A06N1	文件：342.96 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：342.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK30E06N1	文件：1.58191 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.58191 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TK30E06N1	文件：251.41 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：251.41 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
TK30C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
开关管（SW）
封装形式：
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3AG87B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.2

技术参数

Product Category：
Power MOSFET (N-ch single 30V＜VDSS≦60V)
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Recommended Product 1：
TK30A06N1(Almost same package but similar characteristics)
Recommended Product 2：
TK5R3A06PL(Almost same package but similar characteristics)

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