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TK30A06J3A	文件：658.1 Kbytes Page：6 Pages	Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications ● Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 34 S (typ.) ● Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) ● Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：658.1 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK30A06J3A	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK30A06J3A	文件：2.14023 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.14023 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TK30A06J3	文件：2.13845 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.13845 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多TK30A06J3A供应商更新时间2025-10-11 11:04:00