TK30A06J3A(Q)说明书PDF资料原装现货东芝-114ic电子网

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TK30A06J3	文件：2.13845 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TK30A06J3A	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK30A06J3A	文件：2.14023 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TK30A06J3A	文件：658.1 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType SwitchingRegulatorApplications ●Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=34S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) ●Enhancementmode:Vth=1.3to2.5V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

更多TK30A06J3A(Q)供应商更新时间2025-5-16 11:00:00