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TK30E06N1	文件：1.58191 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.58191 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TK30J25D	文件：236.23 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：236.23 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK30J25D	文件：326.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：326.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK30S06K3L	文件：257.899 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：257.899 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK30S06K3L	文件：887.27 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：887.27 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TK30	文件：300 bytes Page：1 Pages	点阵投射器模组	Himax 奇景光电	Himax
TK30A06J3A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V) Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅢ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚\n Drain current ID 30 A \nPower Dissipation PD 25 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \n;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK30A06N1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 43 A \nPower Dissipation PD 25 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

晶体管资料

型号：
TK30C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
开关管（SW）
封装形式：
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3AG87B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.2

技术参数

Product Category：
Power MOSFET (N-ch single 30V＜VDSS≦60V)
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Recommended Product 1：
TK30A06N1(Almost same package but similar characteristics)
Recommended Product 2：
TK5R3A06PL(Almost same package but similar characteristics)

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