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TK3608K	文件：177.82 Kbytes Page：8 Pages	Phase Control Thyristor FEATURES ■ High Surge Capability APPLICATIONS ■ High Power Drives ■ High Voltage Power Supplies ■ DC Motor Control ■ Welding ■ Battery Chargers 文件：177.82 Kbytes 页数：8 Pages	DYNEX	DYNEX
TK3608M	文件：177.82 Kbytes Page：8 Pages	Phase Control Thyristor FEATURES ■ High Surge Capability APPLICATIONS ■ High Power Drives ■ High Voltage Power Supplies ■ DC Motor Control ■ Welding ■ Battery Chargers 文件：177.82 Kbytes 页数：8 Pages	DYNEX	DYNEX
TK3610K	文件：177.82 Kbytes Page：8 Pages	Phase Control Thyristor FEATURES ■ High Surge Capability APPLICATIONS ■ High Power Drives ■ High Voltage Power Supplies ■ DC Motor Control ■ Welding ■ Battery Chargers 文件：177.82 Kbytes 页数：8 Pages	DYNEX	DYNEX
TK3610M	文件：177.82 Kbytes Page：8 Pages	Phase Control Thyristor FEATURES ■ High Surge Capability APPLICATIONS ■ High Power Drives ■ High Voltage Power Supplies ■ DC Motor Control ■ Welding ■ Battery Chargers 文件：177.82 Kbytes 页数：8 Pages	DYNEX	DYNEX
TK3612K	文件：177.82 Kbytes Page：8 Pages	Phase Control Thyristor FEATURES ■ High Surge Capability APPLICATIONS ■ High Power Drives ■ High Voltage Power Supplies ■ DC Motor Control ■ Welding ■ Battery Chargers 文件：177.82 Kbytes 页数：8 Pages	DYNEX	DYNEX
TK3612M	文件：177.82 Kbytes Page：8 Pages	Phase Control Thyristor FEATURES ■ High Surge Capability APPLICATIONS ■ High Power Drives ■ High Voltage Power Supplies ■ DC Motor Control ■ Welding ■ Battery Chargers 文件：177.82 Kbytes 页数：8 Pages	DYNEX	DYNEX
TK370A60F	文件：400.53 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK370A60F；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Power Supplies Features (1) Easy to control Gate switching (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.3 Ω (typ.) (3) Enhancement mode: Vth = 2 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 2.04 mA) 文件：400.53 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK380A60Y	文件：437.54 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K380A60Y；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.29 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 0.36mA) 文件：437.54 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK380A65Y	文件：436.64 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K380A65Y；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.29 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 0.36mA) 文件：436.64 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK380P60Y	文件：439.82 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK380P60Y；Package：DPAK；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.29 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 0.36 mA) 文件：439.82 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
2.5
PD(W)：
30
Ciss(pF)：
380
Qg(nC)：
9.0
=10V：
2.8
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
π-MOSⅦ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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