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TK3R9E10PL	文件：720.93 Kbytes Page：9 Pages	High-Efficiency DC-DC Converters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=99nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=100V) (6)Enhancementmode:Vth=1.5to2.5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK3R9E10PL	文件：629.46 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-channel MOS 1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=99nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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TK3R9E10PL

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High-Efficiency DC-DC Converters

Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=99nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=100V) (6)Enhancementmode:Vth=1.5to2.5V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=99nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

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东芝株式会社東芝

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北京京北通宇电子元件有限公司	TK3R9E10PL,S1X(S	TOSHIBA	23+	NA	50	现货!就到京北通宇商城	询价
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更多TK3R9E10PL供应商更新时间2024-6-22 14:00:00

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