TK130V60Z1芯片丝印丝印对应型号-114ic电子网

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TK130V60Z1	文件：499.31 Kbytes Page：9 Pages	丝印：TK130V60Z1；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Power Supplies Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.108 Ω (typ.) (2) High-speed switching properties with the lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 0.73 mA) 文件：499.31 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多TK130V60Z1供应商更新时间2025-9-21 11:00:00