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TK31V60W	文件：235.92 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK31V60W；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.078Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK31V60W5	文件：273.86 Kbytes Page：10 Pages	型号：TK31V60W5；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=135ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.087Ω(typ.) (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=10V,ID=1.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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型号：TK31V60W；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.078Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1.5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TK31V60W5

文件：273.86 Kbytes

Page：10 Pages

型号：TK31V60W5；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=135ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.087Ω(typ.) (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=10V,ID=1.5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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深圳市芯峰微电子科技有限公司	TK31V60W5	TOSHIBA	21+	QFN88	20000	原装现货、工厂库存	询价
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更多TK31V60W供应商更新时间2025-7-30 14:03:00

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