| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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华星微半导体（深圳）有限公司1年
留言
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ROHM/罗姆SOT523 |
368011 |
23+ |
Rohm经典数字三极管代理可开专票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOT-323 |
300000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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长晶SOT-523 |
9000 |
21+ |
只做原装正品现货库存 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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长电SOT523 |
30000 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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长晶SOT-523 |
9000 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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长电SOT523 |
21000 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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193 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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NXP/恩智浦SOD523 |
10053 |
2105+ |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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CJ原装长电SOT-523 |
150500 |
2021 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SOT523 |
30000 |
23+ |
原装现货特价热销 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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SOT-523CJ |
181500 |
2021 |
全新原装公司现货 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆SOT523 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)5年
留言
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CJSMD |
23928 |
全新、原装 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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ROHM/罗姆EMT-3 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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OnsemiNA |
45000 |
22+ |
100%原装正品现货,现货型号众多加QQ咨询 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ROHM/罗姆SOT-416-3 |
51334 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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ROHM(罗姆)SOT-416 |
16800 |
23+ |
原装现货,假一罚十! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ROHMSC75 |
295 |
1425+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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TISOT-523 |
3320 |
21+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ROHMSC75 |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
DTC143ZE采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
DTC143ZE图片
DTC143ZET1G价格
DTC143ZET1G价格：￥0.0940品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的DTC143ZET1G多少钱，想知道DTC143ZET1G价格是多少？参考价：￥0.0940。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，DTC143ZET1G批发价格及采购报价，DTC143ZET1G销售排行榜及行情走势，DTC143ZET1G报价。
DTC143ZETL中文资料Alldatasheet PDF
更多DTC143ZE制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 150mW 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 150mW - free partial T/R at 500.
DTC143ZE RK功能描述:两极晶体管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DTC143ZEATL制造商:ROHM Semiconductor
DTC143ZEBTL功能描述:TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极(R1)（欧）:47k 电阻器 - 发射极(R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000756242
DTC143ZET1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DTC143ZET1G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
DTC143ZETL功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-416 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
RN1106,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
.1
- wtest：
.3
