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TK16V60W	文件：255.57 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK16V60W；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.79 mA) 文件：255.57 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16V60W5	文件：279.87 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK16V60W5；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.196 Ω(typ.) (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V(VDS = 10 V, ID = 0.79 mA) 文件：279.87 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16V60W	文件：255.57 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK16V60W；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.79 mA) 文件：255.57 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK16V60W5	文件：279.87 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK16V60W5；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.196 Ω(typ.) (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V(VDS = 10 V, ID = 0.79 mA) 文件：279.87 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TK16V60W
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS MOQ=2500 P - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TK16V60W供应商更新时间2025-9-21 17:02:00

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