TK31E60X芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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TK31E60X	文件：246.14 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK31E60X；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA) 文件：246.14 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多TK31E60X供应商更新时间2025-9-21 16:50:00