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TK3P80E	文件：382.93 Kbytes Page：9 Pages	Marking：TK3P80E；Package：DPAK；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK3P80E

文件：382.93 Kbytes

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Marking：TK3P80E；Package：DPAK；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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