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TK3P80E	文件：382.93 Kbytes Page：9 Pages	丝印：TK3P80E；Package：DPAK；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.9 Ω (typ.) (2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA) 文件：382.93 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3P80E	文件：382.93 Kbytes Page：9 Pages	丝印：TK3P80E；Package：DPAK；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.9 Ω (typ.) (2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA) 文件：382.93 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3P80E	文件：320.66 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：320.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	TK3P80E	TOSHIBA/东芝	2022+	TO-252	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	TK3P80E	TOSHIBA/东芝	23+	TO-252	321515		询价
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更多TK3P80E供应商更新时间2025-9-21 14:00:00