TK3P80E中文资料东芝数据手册PDF规格书
TK3P80E规格书详情
Applications
• Switching Voltage Regulators
特性 Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.9 Ω (typ.)
(2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V)
(3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA |
22+ |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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Toshiba Semiconductor and Stor |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA(东芝) |
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DPAK |
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
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