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TK3P80E

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TK3P80E

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

GV3P80

Motorcircuitbreaker,TeSysGV3,3P,56-80A,thermalmagnetic,screwclampterminals

SCHNEIDERSchneider Electric

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更多TK3P80E供应商 更新时间2024-9-24 14:00:00