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C-147-DFB-T-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE
C147E	文件：119.83 Kbytes Page：2 Pages	TheC147SiliconControlledRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C147E	文件：421.56 Kbytes Page：5 Pages	HIGHPOWERSILICONCONTROLLEDRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
C147M	文件：421.56 Kbytes Page：5 Pages	HIGHPOWERSILICONCONTROLLEDRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
C147M	文件：119.83 Kbytes Page：2 Pages	TheC147SiliconControlledRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP147G	文件：144.24 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP147G	文件：91.24 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP147PNP	文件：327.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARDARLINGTONPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowFrequencySwitchingApplications TO-3PNNonIsolated PlasticPackage	CDIL CDIL	CDIL
TIP147T	文件：947.6 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-220PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
TIP147T	文件：79.54 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP147T	文件：536.03 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP140/141/142	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP147T	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TIP147T	文件：53.91 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■MonolithicDarlingtonconfiguration ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TIP147T	文件：161.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP147T	文件：52.16 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140T/141T/142T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP147T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
TIP147T	文件：137.4 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP147T	文件：415.68 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
TIP147T	文件：536.03 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TIP147TPNP	文件：415.68 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL

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晶体管资料

型号：
TIP147F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
绝缘(ISO)
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV64…F,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-71
vtest：
100
htest：
999900
atest：
10
wtest：
60

详细参数

型号：
TIP147F
功能描述：
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIP147F供应商更新时间2024-5-1 10:50:00

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