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TIP147F	文件：62.18 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP140F/141F/142F 文件：62.18 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP147F	文件：175.17 Kbytes Page：4 Pages	PNP (HIGH DC CURRENT GAIN) HIGH DC CURRENT GAIN MIN hFE=1000@ VCE = -4V, IC= -5A Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Industrial Use Complement to TIP140F/141F/142F 文件：175.17 Kbytes 页数：4 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
TIP147F	文件：89.12 Kbytes Page：2 Pages	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL 文件：89.12 Kbytes 页数：2 Pages	CDIL	CDIL
TIP147F	文件：60.02 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS For use in Power Linear and Switching Applications 文件：60.02 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
TIP147F	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP外延达林顿晶体管 • 具有内置基极-发射极分流电阻的单片架构\n•高DC电流增益：hFE=1000 @ VCE= -4 V, IC= -5 A (Min.)\n•工业用途\n•TIP140F/141F/142F的补充器件;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP147FTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 10A TO3PF	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
TIP147F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
绝缘(ISO)
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV64…F,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-71
vtest：
100
htest：
999900
atest：
10
wtest：
60

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
3
IC Cont. (A)：
10
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
3.5
VBE(on) (V)：
3
hFE Min：
500
PTM Max (W)：
60
Package Type：
TO-3PF-3L

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