TIP147F中文资料PNP外延达林顿晶体管数据手册ONSEMI规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP147F三极管、TIP147F晶体管、TIP147F晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
绝缘(ISO)
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDV64…F,
- 最大耗散功率：
60W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-71
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
60
TIP147F规格书详情
特性 Features
• 具有内置基极-发射极分流电阻的单片架构
•高DC电流增益：hFE=1000 @ VCE= -4 V, IC= -5 A (Min.)
•工业用途
•TIP140F/141F/142F的补充器件
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
TIP147F属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的TIP147F晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：TIP147F
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：3
- IC Cont. (A)
：10
- VCEO Min (V)
：100
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：3.5
- VBE(on) (V)
：3
- hFE Min
：500
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：60
- Package Type
：TO-3PF-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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