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TIP29D

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

● 30 W at 25°C Case Temperature ● 1 A Continuous Collector Current ● 3 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available

文件:85.33 Kbytes 页数:6 Pages

POINN

TIP29D

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

● 30 W at 25°C Case Temperature\n● 1 A Continuous Collector Current\n● 3 A Peak Collector Current\n● Customer-Specified Selections Available

Power Innovations

TIP29D

Trans GP BJT NPN 120V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220

NJS

新泽西半导体

TIP29D-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 120V 1A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶体管资料

  • 型号:

    TIP29D

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    160V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    3DD30B,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-8

  • vtest:

    160

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    30

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Material:

    Si

  • Maximum Collector Base Voltage:

    160V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.7@125mA@1AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    120V

  • Maximum DC Collector Current:

    1A

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Power Dissipation:

    30000mW

  • Type:

    NPN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TIP29D供应商 更新时间2026-4-17 14:02:00