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TIP36C | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W)
| MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | |
TIP36C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ComplementarySiliconHigh-PowerTransistors ...forgeneral–purposepoweramplifierandswitchingapplications. •25ACollectorCurrent •LowLeakageCurrent—ICEO=1.0mA@30and60V •ExcellentDCGain—hFE=40Typ@15A •HighCurrentGainBandwidthProduct—hfe=3.0min@I | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | |
TIP36C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Designedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •25ACollectorCurrent •LowLeakageCurrent− ICEO=1.0mA@30and60V •ExcellentDCGain− hFE=40Typ@15A •HighCurrentGainBandwidthProduct− |hfe|=3.0min@IC =1.0 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
TIP36C | PNP SILICON POWER TRANSISTORS •DesignedforComplementaryUsewiththeTIP35Series •125Wat25°CCaseTemperature •25AContinuousCollectorCurrent •40APeakCollectorCurrent •Customer-SpecifiedSelectionsAvailable | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
TIP36C | COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layout.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applica | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
TIP36C | PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER ●HighCurrentCapability ●HighPowerDissipation ●ComplementarytoTIP35C | WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司 | WINGS | |
TIP36C | TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER) HIGHPOWERAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES •Recommendedfor75WAudioFrequency AmplifierOutputStage. •ComplementarytoTIP35C. •Icmax:-25A. | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | |
TIP36C | COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP35CisasiliconEpitaxial-BaseNPNtransistormountedinTO-218plasticpackage.Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisTIP36C. AlsoTIP36BisaPNPtype. ■STMicroelectronicPREFERREDSALESTYPES | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
TIP36C | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeTIP35/35A/35B/35C •DCcurrentgainhFE=25(Min)@IC=-1.5A APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications. | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
TIP36C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORTIP35andTIP36seriesdevicesarecomplementarysiliconpowertransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforhighcurrentamplifierandswitchingapplications. | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | Central |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
25A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-62
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
25
- wtest：
125
产品属性
- 产品编号：
TIP36C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 5A，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 15A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
SOT-93
- 描述：
TRANS PNP 100V 25A SOT93
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
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TO-247 |
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TO-218-3 |
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原装优势现货 欢迎咨询 |
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ST |
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TO-247 |
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全新原装公司现货
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