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TIP120	文件：206.87 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(5.0A,60-100V,65W) ... designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. FEATURES: • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 60 V (Min) − TIP120, TIP125 = 80 V (Min) − TIP121, TIP126 = 100 V (Min) − TIP122, TIP127 • Low Coll 文件：206.87 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP120	文件：251.64 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 5 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP12 文件：251.64 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
TIP121	文件：1.78214 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP121；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.78214 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP122	文件：1.78214 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP122；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.78214 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP125	文件：1.78214 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP125；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.78214 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP126	文件：1.78214 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP126；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.78214 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP127	文件：1.78214 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP127；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.78214 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP147	文件：1.24641 Mbytes Page：5 Pages	丝印：TIP147；Package：TO-220-3L；TO-247 Plastic-Encapsulate Transistors Features ■ Monolithic Darlington configuration ■ Integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Linear and switching industrial equipment 文件：1.24641 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP31C	文件：1.59413 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP31C；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Linear Switching Applications 文件：1.59413 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP32C	文件：1.71278 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP32C；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Medium Power Linear Switching Applications 文件：1.71278 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

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晶体管资料

型号：
TIP04
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BU126,BU211,BUY23A,BUY75,3DK305G,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
65

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
8
V(BR)CEO Min (V)：
60
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
20
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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