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TIP126	文件：1.78214 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP126；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.78214 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP126	文件：1.78214 Mbytes Page：4 Pages	丝印：TIP126；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.78214 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP126	文件：1.46806 Mbytes Page：2 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TIP120,121,122 Darlington TRANSISTOR (NPN) TIP125,126,127 Darlington TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Medium Power Complementary Silicon Transistors 文件：1.46806 Mbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP126	文件：206.87 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(5.0A,60-100V,65W) ... designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. FEATURES: • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 60 V (Min) − TIP120, TIP125 = 80 V (Min) − TIP121, TIP126 = 100 V (Min) − TIP122, TIP127 • Low Coll 文件：206.87 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP126	文件：251.64 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 5 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP12 文件：251.64 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
TIP126	文件：57.97 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors PLASTIC POWER TRANSISTORS High Power Switching, Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Drive Applications 文件：57.97 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
TIP126	文件：80.3 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS High Power Switching, Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Drive Applications 文件：80.3 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
TIP126	文件：45.71 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear Switching Applications PNP Epitaxial Darlington Transistor Features • Medium Power Linear Switching Applications • Complementary to TIP120 / TIP121 / TIP122 文件：45.71 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP126	文件：168.58 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Darlington Transistor PNP Epitaxial Darlington Transistor Features • Medium Power Linear Switching Applications • Complementary to TIP120 / TIP121 / TIP122 文件：168.58 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP126	文件：242.23 Kbytes Page：6 Pages	PNP (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS) MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS • Complement to TIP121 文件：242.23 Kbytes 页数：6 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

晶体管资料

型号：
TIP126
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD266A,BD648,BD700,BD900,BDW24B,BDW64B,FC75B,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
5
wtest：
65

详细参数

型号：
TIP126
功能描述：
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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