TIP126分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP126 |
| 参数属性 | TIP126 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 80V 5A TO220-3 |
| 功能描述 | DARLINGTON 5 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
251.64 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Motorola |
| 中文名称 | 摩托罗拉 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-9 23:00:00 |
| 人工找货 | TIP126价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP126规格书详情
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
• High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP120, TIP125
= 80 Vdc (Min) — TIP121, TIP126
= 100 Vdc (Min) — TIP122, TIP127
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
= 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
• TO–220AB Compact Package
产品属性
- 产品编号：
TIP126
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 20mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS PNP DARL 80V 5A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3290 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
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TO-220 |
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TO220 |
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