TIP125分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP125 |
| 参数属性 | TIP125 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 60V 5A TO220-3 |
| 功能描述 | PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
100.15 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-19 9:38:00 |
| 人工找货 | TIP125价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP125三极管、TIP125晶体管、TIP125晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD266,BD646,BD698,BD898,BD24A,BDW64A,FC75B,
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
5
- wtest：
65
TIP125规格书详情
... designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
FEATURES:
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −
VCEO(sus) = 60 V (Min) − TIP120, TIP125
= 80 V (Min) − TIP121, TIP126
= 100 V (Min) − TIP122, TIP127
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 V (Max.) @ IC = 3.0 A
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
产品属性
- 产品编号：
TIP125
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 20mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 5A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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MOSPEC |
25+ |
TO220 |
54648 |
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23+ |
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11200 |
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ST |
TO-220 |
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22+ |
TO-220 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
只做原装 假一赔万 |
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STM |
22+ |
TO-220-3 |
2000 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
18000 |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 |
