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TIP117	文件：50 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -1A (Min.) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP110/111/112 文件：50 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 1.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) 文件：269.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP117	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：153.15 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
TIP117	文件：75.23 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE. FEATURES • High DC Current Gain. : hFE=1000(Min.), ＠VCE=-4V, IC=-1A. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage. • Complementary to TIP112. 文件：75.23 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
TIP117	文件：271.16 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：271.16 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP117	文件：97.94 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power darlington Complementary transistors 文件：97.94 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
TIP117	文件：169.39 Kbytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistors Features • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4.0V, IC=1.0A(Min.) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complementary to TIP110/111/112 • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designat RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating 文件：169.39 Kbytes 页数：1 Pages	MCC	MCC
TIP117	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W) 文件：146.97 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：269.51 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
TIP117	文件：456.45 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC Current Gain ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage ● Complementary to TIP112 文件：456.45 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

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晶体管资料

型号：
TIP04
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BU126,BU211,BUY23A,BUY75,3DK305G,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
65

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
8
V(BR)CEO Min (V)：
60
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
20
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
TO-220-3

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