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ADXRS610BBGZ-RL	文件：714.94 Kbytes Page：12 Pages	짹300째/secYawRateGyro	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AEP610-T	文件：43.94 Kbytes Page：1 Pages	ADSLTransformersforLucentChipsets	TALEMA Talema Group LLC	TALEMA
AN610	文件：82.28 Kbytes Page：9 Pages	Usingthe24LC21DualModeSerialEEPROM	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AN610	文件：1.19919 Mbytes Page：17 Pages	PolarPAKSolderJointReliabilityBasedonThermalFatigueIPC-9701	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
AN610	文件：1.80332 Mbytes Page：71 Pages	Si48XXATDDPROGRAMMINGGUIDE	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
AOP610	文件：145.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOP610usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplications.ASchottkydiodeinparallelwiththen-channelFETredu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOP610L	文件：145.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOP610usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplications.ASchottkydiodeinparallelwiththen-channelFETredu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AQW610EH	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQW610EH	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1Ω). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQW610EHA	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1Ω). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AQW610EHA	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQW610EHAX	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1Ω). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
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