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TIP35C	文件：154.7 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP35C	文件：157.84 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ComplementarySiliconHigh-PowerTransistors ...forgeneral–purposepoweramplifierandswitchingapplications. •25ACollectorCurrent •LowLeakageCurrent—ICEO=1.0mA@30and60V •ExcellentDCGain—hFE=40Typ@15A •HighCurrentGainBandwidthProduct—hfe=3.0min@I	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP35C	文件：157.84 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Designedforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •25ACollectorCurrent •LowLeakageCurrent− ICEO=1.0mA@30and60V •ExcellentDCGain− hFE=40Typ@15A •HighCurrentGainBandwidthProduct− \|hfe\|=3.0min@IC =1.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP35C	文件：93.59 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe TIP36Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP35C	文件：47.33 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layout.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■ComplementaryNPN-PNPtransistors Applica	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP35C	文件：55.3 Kbytes Page：1 Pages	NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIER DCTODCCONVERTER ●HighCurrentCapability ●HighPowerDissipation ●ComplementarytoTIP36C	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
TIP35C	文件：125.35 Kbytes Page：1 Pages	TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER) HIGHPOWERAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES •Recommendedfor75WAudioFrequency AmplifierOutputStage. •ComplementarytoTIP36C. •Icmax:25A.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
TIP35C	文件：46.49 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP35CisasiliconEpitaxial-BaseNPNtransistormountedinTO-218plasticpackage.Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisTIP36C. AlsoTIP36BisaPNPtype. ■STMicroelectronicPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP35C	文件：169.98 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeTIP36/36A/36B/36C •DCcurrentgainhFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurpose poweramplifierandswitchingapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP35C	文件：174.15 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeTIP36/36A/36B/36C •DCcurrentgainhFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurpose poweramplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
TIP35C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 5A，25A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 15A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
SOT-93
描述：
TRANS NPN 100V 25A SOT93

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